Semiconductor

High-purity graphite components for crystal growth, ion implantation and wafer processing.

Crucibles & susceptors for CZ silicon growth Heater elements & heat shields Ion implantation components Diffusion boat holders MOCVD base plates

<10 ppm

회분 함량 (반도체 등급)

2800°C

최고 사용 온도

IG-110

권장 흑연 등급

흑연 솔루션: Semiconductor

실리콘 단결정 성장, 에피택셜 증착, 이온 주입, 열산화 공정은 모두 2000°C 이상에서 초저금속 오염도와 정밀 치수 안정성을 겸비한 흑연 부품을 필요로 합니다. 철, 니켈, 구리가 sub-ppm 수준만 존재해도 웨이퍼 전체 로트의 디바이스 성능을 저하시키는 심층 결함이 발생합니다.

캄스코리아는 IG-110 및 IG-430U 고순도 흑연으로 제작된 도가니, 서셉터, 풀러 샤프트, 발열체, 단열 링 등 초고순도 흑연 부품을 공급합니다. 모든 납품에 완전한 원소 분석 성적서와 블록부터 완성 부품까지의 로트 추적성이 제공됩니다.

캄스코리아를 선택하는 이유: Semiconductor

✓ IG-110 고순도 흑연 공인 유통 및 가공 파트너

✓ 모든 납품에 완전한 원소 분석 재료 성적서 제공

✓ 원자재 블록부터 완성 부품까지 로트 추적성 관리

✓ 진공 밀봉 PE 포장; 요청 시 클린룸 환경 취급 가능

주요 납품 분야

주요 응용 분야: Semiconductor

💎

CZ 실리콘 단결정 성장

초크랄스키 단결정 실리콘 성장로용 도가니, 서셉터, 발열체, 풀러 샤프트.

🔬

플로트 존(FZ) 실리콘

플로트 존 실리콘 정제 공정용 초고순도 흑연 코일 및 RF 발열체.

⚡

에피택셜 증착

CVD 에피택셜 실리콘 및 III-V 화합물 증착 반응기용 서셉터 및 트레이 부품.

🏭

확산로

관형 확산·산화로용 흑연 보트, 푸셔 및 공정 튜브.

🧪

MOCVD / MBE

유기금속 화학 기상 증착 및 분자빔 에피택시용 고순도 흑연 부품.

🔲

이온 주입

이온 주입 공정용 흑연 웨이퍼 홀더 및 마스킹 부품.

기술 참고 자료

주요 사양

등급 (태양광 CZ 실리콘)	TTK-8 / ISO-88 — 회분 <50 ppm
등급 (반도체 CZ 실리콘)	IG-110 / IG-430U — 회분 <10 ppm
등급 (플로트 존)	IG-110 HP — 회분 <5 ppm
주요 미량 금속	Fe, Ni, Cu 각 < 1 ppm
밀도	1.77–1.85 g/cm³
최고 사용 온도	불활성 분위기에서 2800°C
가공 공차	±0.02 mm 표준; ±0.01 mm 가능
포장	진공 밀봉 PE; 요청 시 클린룸 준비 포장